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单MOSFET晶体管 / IRFHS9301TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 6.28024 1+
- ￥ 5.92476 10+
- ￥ 5.58939 100+
- ￥ 5.27301 500+
- ￥ 4.97454 1000+
- 型号： IRFHS9301TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-PowerVDFN
- 描述： INFINEON IRFHS9301TRPBF MOSFET Transistor, P Channel, -13 A, -30 V, 0.03 ohm, -10 V, -1.8 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.28024
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-PowerVDFN
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Ta 13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.1W Ta
- Turn Off Delay Time：13 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：37MOhm
- 端子位置：DUAL
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：37m Ω @ 7.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：580pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13nC @ 10V
- 上升时间：80ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：25 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 阈值电压：-1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏源击穿电压：-30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：52A
- 栅源电压：-1.8 V
- 高度：950μm
- 长度：2.1mm
- 宽度：2.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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