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单MOSFET晶体管 / TP2640N3-G
- 价格 起订量
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- 型号： TP2640N3-G
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 质量：219.992299mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：180mA Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1W Ta
- Turn Off Delay Time：60 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 端子位置：BOTTOM
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：15 Ω @ 300mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：300pF @ 25V
- 上升时间：15ns
- 漏源电压 (Vdss)：400V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：40 ns
- 连续放电电流(ID)：180mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-400V
- 高度：5.33mm
- 长度：5.21mm
- 宽度：4.19mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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