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单MOSFET晶体管 / ZVP2110A

  • 价格 起订量
  • ¥ 9.00698 1+
  • ¥ 8.49716 10+
  • ¥ 8.01618 100+
  • ¥ 7.56244 500+
  • ¥ 7.13438 1000+
  • 型号: ZVP2110A
  • 厂商: Diodes Incorporated
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 描述: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 3746
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 9.00698

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:17 Weeks
  • 底架:通孔
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 引脚数:3
  • 质量:453.59237mg
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:230mA Ta
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Number of Elements:1
  • Power Dissipation (Max):700mW Ta
  • Turn Off Delay Time:12 ns
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Bulk
  • 已出版:2006
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 电阻:8Ohm
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
  • 电压 - 额定直流:-100V
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:WIRE
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • 额定电流:-230mA
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
  • 引脚数量:3
  • 参考标准:CECC
  • 通道数量:1
  • 元素配置:Single
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 功率耗散:700mW
  • 接通延迟时间:7 ns
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:8 Ω @ 375mA, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:100pF @ 25V
  • 上升时间:15ns
  • 漏源电压 (Vdss):100V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 下降时间(典型值):15 ns
  • 连续放电电流(ID):230mA
  • 阈值电压:-3.5V
  • 栅极至源极电压(Vgs):20V
  • 漏源击穿电压:-100V
  • 高度:4.01mm
  • 长度:4.77mm
  • 宽度:2.41mm
  • 达到SVHC:无SVHC
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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