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单MOSFET晶体管 / SSM3K16FV,L3F
- 价格 起订量
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- 型号： SSM3K16FV,L3F
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-723
- 描述： PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 7449
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-723
- 供应商器件包装：VESM
- 厂商：东芝半导体与存储
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V, 4V
- Power Dissipation (Max)：150mW (Ta)
- Continuous Drain Current Id：0.1
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：20 V
- Typical Turn-On Delay Time：70 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：600 mV
- Pd - Power Dissipation：150 mW
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, + 10 V
- Unit Weight：0.000053 oz
- Minimum Operating Temperature：-
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：8000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：40 mS
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- Qg - Gate Charge：-
- Tradename：MOSVI
- Rds On - Drain-Source Resistance：3 Ohms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：125 ns
- Id - Continuous Drain Current：100 mA
- 系列：-
- 操作温度：150°C
- 包装：切割胶带
- 子类别：MOSFETs
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3Ohm @ 10mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9.3 pF @ 3 V
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- Vgs（最大值）：±10V
- 产品类别：MOSFET
- 信道型：N
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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