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单MOSFET晶体管 / ZVP3306A
- 价格 起订量
- ¥ 5.39055 1+
- ¥ 5.08543 10+
- ¥ 4.79757 100+
- ¥ 4.52601 500+
- ¥ 4.26982 1000+
- 型号: ZVP3306A
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述: MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
- 库存地点: 内地
- 库存: 7
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 5.39055
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:17 Weeks
- 包装/外壳:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 安装类型:通孔
- 底架:表面贴装
- 引脚数:3
- 质量:453.59237mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- Voltage Rated:75V
- Turn Off Delay Time:8 ns
- Power Dissipation (Max):625mW Ta
- Number of Elements:1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:160mA Ta
- 已出版:2006
- 包装:Bulk
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 容差:1%
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:470kOhm
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 额定功率:100mW
- 电压 - 额定直流:-60V
- 端子位置:BOTTOM
- 终端形式:WIRE
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 额定电流:-160mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 引脚数量:3
- 箱码(公制):1608
- 箱码(英制):0603
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:625mW
- 接通延迟时间:8 ns
- 场效应管类型:P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:14 Ω @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:50pF @ 18V
- 上升时间:8ns
- 漏源电压 (Vdss):60V
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):8 ns
- 连续放电电流(ID):160mA
- 阈值电压:-3.5V
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏源击穿电压:-60V
- 反馈上限-最大值 (Crss):8 pF
- 宽度:800μm
- 长度:1.6mm
- 高度:450μm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 辐射硬化:无
- 达到SVHC:有
- 无铅:无铅
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