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单MOSFET晶体管 / APT5018SLLG/TR
- 价格 起订量
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- 型号： APT5018SLLG/TR
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 描述： MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 17
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：D3PAK
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Power Dissipation (Max)：300W (Tc)
- Base Product Number：APT5018
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：27A (Tc)
- Product Status：活跃
- 厂商：微芯片技术
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
- Typical Turn-On Delay Time：9 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5 V
- Pd - Power Dissipation：300 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Unit Weight：0.218699 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：400
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Qg - Gate Charge：58 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：180 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：18 ns
- Id - Continuous Drain Current：27 A
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：APT5018SLLG/TR
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Risk Rank：5.65
- Drain Current-Max (ID)：27 A
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装：Reel
- 子类别：MOSFETs
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：180mOhm @ 13.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2596 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：58 nC @ 10 V
- 上升时间：4 ns
- 漏源电压 (Vdss)：500 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.18 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：108 A
- DS 击穿电压-最小值：500 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1210 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：300 W
- 场效应管特性：-
- 反馈上限-最大值 (Crss)：38 pF
- 产品类别：MOSFET
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