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单MOSFET晶体管 / CPH6355-TL-W
- 价格 起订量
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- ￥ 0.60311 1000+
- 型号： CPH6355-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： Trans MOSFET P-CH 30V 3A 6-Pin CPH T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.76141
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：19.4 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：4.6 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：169m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：172pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.9nC @ 10V
- 上升时间：6.6ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：11.4 ns
- 连续放电电流(ID)：3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.169Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：12A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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