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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRLMS5703TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 2.97595 1+
- ￥ 2.80750 10+
- ￥ 2.64858 100+
- ￥ 2.49866 500+
- ￥ 2.35723 1000+
- 型号： IRLMS5703TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6
- 描述： MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 106
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.97595
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.7W Ta
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：180mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：超低电阻
- 电压 - 额定直流：-30V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-2.3A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.7W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：180m Ω @ 1.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：170pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11nC @ 10V
- 上升时间：12ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8.4 ns
- 连续放电电流(ID)：-2.3A
- 阈值电压：-1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4A
- 漏源击穿电压：-30V
- 双电源电压：-30V
- 栅源电压：-1 V
- 高度：1.4478mm
- 长度：2.9972mm
- 宽度：1.75mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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