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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQB5N60CTM-WS
- 价格 起订量
- ￥ 11.55235 1+
- ￥ 10.89845 10+
- ￥ 10.28155 100+
- ￥ 9.69958 500+
- ￥ 9.15055 1000+
- 型号： FQB5N60CTM-WS
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 600V 4.5A
- 库存地点： 内地
- 库存： 251
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.55235
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：QFET®
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.5 Ω @ 2.25A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：670pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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