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单MOSFET晶体管 / SPB04N60S5ATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： SPB04N60S5ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-263
- 库存地点： 内地
- 库存： 8000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5.5V @ 200μA
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Power Dissipation (Max)：50W Tc
- Number of Elements：1
- 已出版：2005
- 系列：CoolMOS™
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：雪崩 额定
- 电压 - 额定直流：600V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：4.5A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：50W
- 接通延迟时间：55 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：950m Ω @ 2.8A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：580pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：22.9nC @ 10V
- 上升时间：30ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：600V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.95Ohm
- 漏源击穿电压：600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：9A
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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