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单MOSFET晶体管 / IRF8113TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 6.06582 1+
- ￥ 5.72247 10+
- ￥ 5.39856 100+
- ￥ 5.09298 500+
- ￥ 4.80470 1000+
- 型号： IRF8113TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 240
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.06582
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：17 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2005
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：5.6MOhm
- 电压 - 额定直流：30V
- 额定电流：16.6A
- 配置：Single
- 行间距：6.3 mm
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：13 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.6m Ω @ 17.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2910pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：36nC @ 4.5V
- 上升时间：8.9ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：3.5 ns
- 连续放电电流(ID)：17.2A
- 阈值电压：2.2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 栅源电压：2.2 V
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：Contains Lead, Lead Free
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