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单MOSFET晶体管 / NVMFS5C423NLT1G
- 价格 起订量
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- 型号： NVMFS5C423NLT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 13 hours ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：3.7W Ta 83W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3100pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：50nC @ 10V
- 上升时间：72ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8.4 ns
- 连续放电电流(ID)：150A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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