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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMN30H4D0L-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.65496 1+
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- ￥ 2.36290 100+
- ￥ 2.22915 500+
- ￥ 2.10298 1000+
- 型号： DMN30H4D0L-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 24000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.65496
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：SOT-23
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：250mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.7V 10V
- Power Dissipation (Max)：310mW Ta
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：DMN30H4
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4Ohm @ 300mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：187.3pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7.6nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：300V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：250mA
- 输入电容：187.3pF
- 最大rds：4 Ω
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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