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单MOSFET晶体管 / NX138BKR
- 价格 起订量
- ￥ 0.97760 1+
- ￥ 0.92226 10+
- ￥ 0.87006 100+
- ￥ 0.82081 500+
- ￥ 0.77435 1000+
- 型号： NX138BKR
- 厂商： Nexperia USA Inc.
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 60V TO-236AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 361000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.97760
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：265mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：310mW Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2016
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 参考标准：IEC-60134
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.5 Ω @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：20.2pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.49nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：265mA
- JEDEC-95代码：TO-236AB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.265A
- 漏极-源极导通最大电阻：3.8Ohm
- DS 击穿电压-最小值：60V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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