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单MOSFET晶体管 / STH320N4F6-2

  • 价格 起订量
  • ¥ 33.82881 1+
  • ¥ 31.91397 10+
  • ¥ 30.10752 100+
  • ¥ 28.40332 500+
  • ¥ 26.79559 1000+
  • 型号: STH320N4F6-2
  • 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
  • 描述: MOSFET N-CH 40V 11mOhm typ 200A STripFET
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 860
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 33.82881

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:NRND (Last Updated: 8 months ago)
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
  • 引脚数:3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:200A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Power Dissipation (Max):300W Tc
  • Turn Off Delay Time:190 ns
  • 操作温度:-55°C~175°C TJ
  • 包装:Cut Tape (CT)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 基本部件号:STH320
  • 元素配置:Single
  • 接通延迟时间:28 ns
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3m Ω @ 80A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:13800pF @ 15V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:240nC @ 10V
  • 上升时间:98ns
  • Vgs(最大值):±20V
  • 下降时间(典型值):95 ns
  • 连续放电电流(ID):200A
  • 栅极至源极电压(Vgs):20V
  • 漏源击穿电压:40V
  • 高度:4.8mm
  • 长度:15.8mm
  • 宽度:10.4mm
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant

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