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单MOSFET晶体管 / STH360N4F6-2
- 价格 起订量
- ￥ 53.24318 1+
- ￥ 50.22941 10+
- ￥ 47.38624 100+
- ￥ 44.70400 500+
- ￥ 42.17359 1000+
- 型号： STH360N4F6-2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 53.24318
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：180A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VI
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STH360
- 配置：Single
- 通道数量：1
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.25m Ω @ 60A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：17930pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：340nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：180A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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