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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPD50R650CEAUMA1
- 价格 起订量
- ￥ 7.20170 1+
- ￥ 6.79405 10+
- ￥ 6.40949 100+
- ￥ 6.04668 500+
- ￥ 5.70442 1000+
- 型号： IPD50R650CEAUMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3
- 描述： CONSUMER
- 库存地点： 内地
- 库存： 1656
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.20170
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：27 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：47W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：47W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：6 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：5ns
- 漏源电压 (Vdss)：500V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：6.1A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：500V
- 输入电容：342pF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：650mOhm
- 最大rds：650 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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