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单MOSFET晶体管 / IRL2505STRLPBF
- 价格 起订量
- ￥ 15.82945 1+
- ￥ 14.93345 10+
- ￥ 14.08816 100+
- ￥ 13.29071 500+
- ￥ 12.53841 1000+
- 型号： IRL2505STRLPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Single N-Channel 55 V 0.008 Ohm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.82945
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：104A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 200W Tc
- Turn Off Delay Time：43 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：1998
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：8mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- 附加功能：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：55V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：104A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：200W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 54A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5000pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：130nC @ 5V
- 上升时间：160ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：84 ns
- 连续放电电流(ID)：104A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 漏源击穿电压：55V
- 双电源电压：55V
- 雪崩能量等级（Eas）：500 mJ
- 恢复时间：210 ns
- 栅源电压：2 V
- 高度：4.699mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：9.65mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：Contains Lead, Lead Free
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