单MOSFET晶体管 / IRF3205STRLPBF

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型号： IRF3205STRLPBF
厂商： Infineon Technologies
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
描述： MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
库存地点：内地
库存： 46240
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
工厂交货时间：12 Weeks
底架：表面贴装
安装类型：表面贴装
包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数：3
晶体管元件材料：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：110A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：200W Tc
Turn Off Delay Time：50 ns
操作温度：-55°C~175°C TJ
包装：Tape & Reel (TR)
系列：HEXFET®
已出版：2001
JESD-609代码：e3
零件状态：活跃
湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
终止次数：2
终端：SMD/SMT
ECCN 代码：EAR99
电阻：8MOhm
端子表面处理：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流：55V
终端形式：鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）：260
额定电流：110A
时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
JESD-30代码：R-PSSO-G2
通道数量：1
元素配置：Single
操作模式：增强型MOSFET
功率耗散：200W
箱体转运：DRAIN
接通延迟时间：14 ns
场效应管类型：N-Channel
晶体管应用：SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 62A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3247pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：146nC @ 10V
上升时间：101ns
Vgs（最大值）：±20V
下降时间（典型值）：65 ns
连续放电电流(ID)：110A
阈值电压：4V
JEDEC-95代码：TO-252
栅极至源极电压(Vgs)：20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75A
漏源击穿电压：55V
双电源电压：55V
雪崩能量等级（Eas）：264 mJ
恢复时间：104 ns
最大结点温度（Tj）：175°C
栅源电压：4 V
高度：5.084mm
长度：10.668mm
宽度：10.54mm
达到SVHC：无SVHC
辐射硬化：无
RoHS状态：ROHS3 Compliant
无铅：Contains Lead, Lead Free