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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMN2015UFDE-7
- 价格 起订量
- ￥ 4.24557 1+
- ￥ 4.00526 10+
- ￥ 3.77854 100+
- ￥ 3.56466 500+
- ￥ 3.36289 1000+
- 型号： DMN2015UFDE-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-PowerUDFN
- 描述： MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 21000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.24557
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-PowerUDFN
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：660mW Ta
- Turn Off Delay Time：43.6 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- JESD-30代码：R-PDSO-N3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：7.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：11.6m Ω @ 8.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1779pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：45.6nC @ 10V
- 上升时间：16.8ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：10.9 ns
- 连续放电电流(ID)：10.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.4A
- 漏源击穿电压：20V
- 高度：580μm
- 长度：2.05mm
- 宽度：2.05mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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