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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN2016LHAB-7
- 价格 起订量
- ￥ 6.41743 1+
- ￥ 6.05418 10+
- ￥ 5.71149 100+
- ￥ 5.38820 500+
- ￥ 5.08321 1000+
- 型号： DMN2016LHAB-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-UDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 21000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.41743
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：U-DFN2030-6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A
- Turn Off Delay Time：40.9 ns
- 已出版：2013
- 包装：Cut Tape (CT)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：1.2W
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 接通延迟时间：6.9 ns
- 功率 - 最大：1.2W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Rds On(Max)@Id,Vgs：15.5mOhm @ 4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1550pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16nC @ 4.5V
- 上升时间：15.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：7.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 输入电容：1.55nF
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：30mOhm
- 最大rds：15.5 mΩ
- 高度：600μm
- 长度：2.05mm
- 宽度：3.05mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
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