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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STP11NM60FDFP
- 价格 起订量
- ￥ 26.29347 1+
- ￥ 24.80516 10+
- ￥ 23.40110 100+
- ￥ 22.07650 500+
- ￥ 20.82689 1000+
- 型号： STP11NM60FDFP
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
- 库存地点： 内地
- 库存： 20024
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 26.29347
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- 包装：Tube
- 系列：FDmesh™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：450mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 附加功能：雪崩 额定
- 电压 - 额定直流：600V
- 额定电流：11A
- 基本部件号：STP11N
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：35W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：20 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：450m Ω @ 5.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：900pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：40nC @ 10V
- 上升时间：16ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：11A
- 阈值电压：4V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：44A
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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