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单MOSFET晶体管 / STF15NM65N
- 价格 起订量
- ￥ 38.45221 1+
- ￥ 36.27567 10+
- ￥ 34.22233 100+
- ￥ 32.28521 500+
- ￥ 30.45775 1000+
- 型号： STF15NM65N
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： STMICROELECTRONICS STF15NM65N Power MOSFET, N Channel, 12 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 6210
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 38.45221
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220FP
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：30W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：MDmesh™ II
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：380MOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：STF15
- 元素配置：Single
- 功率耗散：35W
- 接通延迟时间：55.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：380mOhm @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：983pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33.3nC @ 10V
- 上升时间：8ns
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：26 ns
- 连续放电电流(ID)：12A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：650V
- 输入电容：983pF
- 漏源电阻：270mOhm
- 最大rds：380 mΩ
- 高度：16.4mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：4.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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