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单MOSFET晶体管 / IRF9383MTRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 18.28828 500+
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- 型号： IRF9383MTRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric MX
- 描述： MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 5521
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.78164
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric MX
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Ta 160A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.1W Ta 113W Tc
- Turn Off Delay Time：115 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：BOTTOM
- JESD-30代码：R-XBCC-N3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：29 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.9m Ω @ 22A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7305pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：130nC @ 10V
- 上升时间：160ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：110 ns
- 连续放电电流(ID)：22A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0029Ohm
- 漏源击穿电压：-30V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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