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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRF8302MTRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 16.94501 1+
- ￥ 15.98586 10+
- ￥ 15.08100 100+
- ￥ 14.22736 500+
- ￥ 13.42204 1000+
- 型号： IRF8302MTRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric MX
- 描述： MOSFET N-CH 30V 31A MX
- 库存地点： 内地
- 库存： 8184
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.94501
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric MX
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：MG-WDSON-5
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：31A Ta 190A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 104W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子位置：BOTTOM
- JESD-30代码：R-XBCC-N3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：22 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.8m Ω @ 31A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6030pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：53nC @ 4.5V
- 上升时间：37ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：31A
- 阈值电压：1.35V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：250A
- 雪崩能量等级（Eas）：260 mJ
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：700μm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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