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单MOSFET晶体管 / NTMFS4837NHT1G
- 价格 起订量
- ￥ 2.56764 1+
- ￥ 2.42230 10+
- ￥ 2.28519 100+
- ￥ 2.15584 500+
- ￥ 2.03381 1000+
- 型号： NTMFS4837NHT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 描述： MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
- 库存地点： 内地
- 库存： 1162
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.56764
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN, 5 Leads
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.2A Ta 75A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 11.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：880mW Ta 48W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-F6
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：5.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3016pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：23.8nC @ 4.5V
- 上升时间：19.6ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4.7 ns
- 连续放电电流(ID)：16A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：225A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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