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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTTFS4824NTAG
- 价格 起订量
- ￥ 8.05225 1+
- ￥ 7.59647 10+
- ￥ 7.16648 100+
- ￥ 6.76083 500+
- ￥ 6.37814 1000+
- 型号： NTTFS4824NTAG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm
- 库存地点： 内地
- 库存： 46500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.05225
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8.3A Ta 69A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 11.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：660mW Ta 46.3W Tc
- Turn Off Delay Time：18 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：S-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：4.1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：13 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2363pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 11.5V
- 上升时间：38ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.5 ns
- 连续放电电流(ID)：20.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：69A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0075Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 栅源电压：1.9 V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：255 pF
- 高度：750μm
- 长度：3.15mm
- 宽度：3.15mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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