简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDC637BNZ
- 价格 起订量
- ￥ 4.56858 1+
- ￥ 4.30998 10+
- ￥ 4.06602 100+
- ￥ 3.83586 500+
- ￥ 3.61874 1000+
- 型号： FDC637BNZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 23040
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.56858
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：22 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：24MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：800mW
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 6.2A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：895pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 4.5V
- 上升时间：6ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：6 ns
- 连续放电电流(ID)：6.2A
- 阈值电压：800mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：800 mV
- 高度：1.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDC637BNZ ON Semiconductor- FDC602P ON Semiconductor
IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies- FDC640P ON Semiconductor
- FDC638APZ ON Semiconductor
