单MOSFET晶体管 / APT18M80B

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型号： APT18M80B
厂商： Microchip Technology
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-247-3
描述： MOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247View in Development Tools Selector
库存地点：内地
库存： 113
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
底架：通孔
表面安装：NO
引脚数：3
供应商器件包装：TO-247 [B]
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
RoHS：Details
Mounting Styles：通孔
Transistor Polarity：N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：800 V
Id - Continuous Drain Current：19 A
Rds On - Drain-Source Resistance：530 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
Qg - Gate Charge：120 nC
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Pd - Power Dissipation：500 W
Channel Mode：Enhancement
Fall Time：27 ns
Forward Transconductance - Min：17 S
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Typical Turn-Off Delay Time：95 ns
Typical Turn-On Delay Time：21 ns
Unit Weight：0.211644 oz
Continuous Drain Current Id：19
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 1mA
Product Status：活跃
Power Dissipation (Max)：500W (Tc)
厂商：微芯片技术
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A (Tc)
Base Product Number：APT18M80
Package：Tube
Number of Elements：1
Voltage Rating (DC)：800 V
Turn Off Delay Time：95 ns
Package Description：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：150 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：APT18M80B
Package Shape：RECTANGULAR
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：1.78
Part Package Code：TO-247
Drain Current-Max (ID)：19 A
包装：Tube
系列：POWER MOS 8™
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码：e1
无铅代码：有
零件状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-55 °C
附加功能：雪崩额定
最大功率耗散：500 W
端子位置：SINGLE
终端形式：THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
额定电流：18 A
JESD-30代码：R-PSFM-T3
资历状况：不合格
配置：Single
操作模式：增强型MOSFET
功率耗散：500
箱体转运：DRAIN
接通延迟时间：21 ns
场效应管类型：N-Channel
晶体管应用：SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs：530mOhm @ 9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3760 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：120 nC @ 10 V
上升时间：31 ns
漏源电压 (Vdss)：800 V
Vgs（最大值）：±30V
极性/通道类型：N-CHANNEL
连续放电电流(ID)：19 A
JEDEC-95代码：TO-247
栅极至源极电压(Vgs)：30 V
漏极-源极导通最大电阻：0.53 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：70 A
输入电容：3.76 nF
DS 击穿电压-最小值：800 V
信道型：N
雪崩能量等级（Eas）：795 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性：-
最大rds：530 mΩ
辐射硬化：无
达到SVHC：unknown
无铅：无铅