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单MOSFET晶体管 / DMP56D0UFB-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.94309 1+
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- ￥ 2.47108 500+
- ￥ 2.33120 1000+
- 型号： DMP56D0UFB-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-UFDFN
- 描述： MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 70500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.94309
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-UFDFN
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4V
- Power Dissipation (Max)：425mW Ta
- Turn Off Delay Time：21.9 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：4.46 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6 Ω @ 100mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50.54pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.58nC @ 4V
- 上升时间：6.63ns
- 漏源电压 (Vdss)：50V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：200mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2A
- 高度：480μm
- 长度：1.08mm
- 宽度：675μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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