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单MOSFET晶体管 / APT20M18B2VRG
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： APT20M18B2VRG
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 12
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：T-MAX™ [B2]
- Mounting Styles：通孔
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：0.211644 oz
- Package：Tube
- Base Product Number：APT20M18
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A (Tc)
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Number of Elements：1
- Voltage Rating (DC)：200 V
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：55 ns
- 包装：Tube
- 系列：POWER MOS V®
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 额定电流：100 A
- 功率耗散：625 W
- 接通延迟时间：18 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：18mOhm @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9880 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：330 nC @ 10 V
- 上升时间：27 ns
- 漏源电压 (Vdss)：200 V
- 连续放电电流(ID)：100 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 输入电容：9.88 nF
- 场效应管特性：-
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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