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单MOSFET晶体管 / IRF7404TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 7.08226 100+
- ￥ 6.68138 500+
- ￥ 6.30319 1000+
- 型号： IRF7404TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.95763
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.7V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：100 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：40mOhm
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：-20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-6.7A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 行间距：6.3 mm
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：40m Ω @ 3.2A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1500pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：50nC @ 4.5V
- 上升时间：32ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：65 ns
- 连续放电电流(ID)：-6.7A
- 阈值电压：-700mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3A
- 漏源击穿电压：-20V
- 双电源电压：-20V
- 恢复时间：100 ns
- 栅源电压：-700 mV
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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