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MOSFETs 晶体管阵列 / BSO330N02KGFUMA1
- 价格 起订量
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- 型号： BSO330N02KGFUMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO
- 库存地点： 内地
- 库存： 1176
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：13.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2008
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 最大功率耗散：1.4W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：BSO330N02
- 引脚数量：8
- 资历状况：不合格
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：7.4 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：30m Ω @ 6.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 20μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：730pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.9nC @ 4.5V
- 上升时间：16.8ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：2.8 ns
- 连续放电电流(ID)：5.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.03Ohm
- 雪崩能量等级（Eas）：19 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：符合RoHS标准
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