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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDD5614P
- 价格 起订量
- ￥ 5.98375 1+
- ￥ 5.64505 10+
- ￥ 5.32551 100+
- ￥ 5.02407 500+
- ￥ 4.73969 1000+
- 型号： FDD5614P
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252
- 库存地点： 内地
- 库存： 22095
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.98375
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：15A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 42W Tc
- Turn Off Delay Time：19 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：100MOhm
- 电压 - 额定直流：-60V
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-15A
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 电压：60V
- 元素配置：Single
- 电流：15A
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：42W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100m Ω @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：759pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：24nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：-15A
- 阈值电压：-1.6V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-60V
- 双电源电压：-60V
- 雪崩能量等级（Eas）：90 mJ
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 栅源电压：-1.6 V
- 高度：2.39mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：6.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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