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单MOSFET晶体管 / SPD18P06P
- 价格 起订量
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- 型号： SPD18P06P
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
- 库存地点： 内地
- 库存： 13000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- Turn Off Delay Time：24.5 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：1999
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：雪崩 额定
- 电压 - 额定直流：-60V
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 额定电流：-18.6A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：80W
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：130m Ω @ 13.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：860pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：18.6A
- 阈值电压：20V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：74.4A
- 双电源电压：-60V
- 栅源电压：20 V
- 高度：2.3mm
- 长度：6.5mm
- 宽度：6.22mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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