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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STP80NF70
- 价格 起订量
- ￥ 15.35482 1+
- ￥ 14.48568 10+
- ￥ 13.66574 100+
- ￥ 12.89220 500+
- ￥ 12.16246 1000+
- 型号： STP80NF70
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 38685
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.35482
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：98A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：90 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：STripFET™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STP80N
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：17 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9.8m Ω @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2550pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：75nC @ 10V
- 上升时间：60ns
- 漏源电压 (Vdss)：68V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：75 ns
- 连续放电电流(ID)：98A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0098Ohm
- DS 击穿电压-最小值：68V
- 雪崩能量等级（Eas）：700 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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