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单MOSFET晶体管 / IPP80N06S407AKSA2
- 价格 起订量
- ¥ 10.71956 1+
- ¥ 10.11279 10+
- ¥ 9.54037 100+
- ¥ 9.00035 500+
- ¥ 8.49089 1000+
- 型号: IPP80N06S407AKSA2
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3
- 描述: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- 库存地点: 内地
- 库存: 15000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 10.71956
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):79W Tc
- Turn Off Delay Time:23 ns
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版:2006
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- 端子位置:SINGLE
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式:增强型MOSFET
- 箱体转运:DRAIN
- 接通延迟时间:15 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:7.4m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 40μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:4500pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:56nC @ 10V
- 上升时间:3ns
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):5 ns
- 连续放电电流(ID):80A
- JEDEC-95代码:TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 最大双电源电压:60V
- 漏极-源极导通最大电阻:0.0071Ohm
- 雪崩能量等级(Eas):71 mJ
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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