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单MOSFET晶体管 / BS108,126
- 价格 起订量
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- 型号： BS108,126
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 描述： MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.8V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1W Ta
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.8V @ 1mA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Box (TB)
- 已出版：2001
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：O-PBCY-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5 Ω @ 100mA, 2.8V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：120pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3A
- 漏极-源极导通最大电阻：5Ohm
- DS 击穿电压-最小值：200V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：15 pF
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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