简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMN2020UFCL-7
- 价格 起订量
- ￥ 4.34533 1+
- ￥ 4.09937 10+
- ￥ 3.86733 100+
- ￥ 3.64843 500+
- ￥ 3.44191 1000+
- 型号： DMN2020UFCL-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-PowerUFDFN
- 描述： MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 60000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.34533
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-PowerUFDFN
- 引脚数：6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Power Dissipation (Max)：610mW Ta
- Turn Off Delay Time：33 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：900mV @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 电容量：1.788nF
- 基本部件号：DMN2020
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：3.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14m Ω @ 9A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1788pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：21.5nC @ 4.5V
- 上升时间：5.7ns
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：6.8 ns
- 连续放电电流(ID)：9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏源击穿电压：20V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMN2020UFCL-7 Diodes Incorporated
DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated- DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated
DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated
ECH8697R-TL-W ON Semiconductor
