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单MOSFET晶体管 / SN7002WH6327XTSA1
- 价格 起订量
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- ￥ 2.00364 1000+
- 型号： SN7002WH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-323
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.52955
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：230mA Ta
- Turn Off Delay Time：6 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：1996
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：500mW
- 接通延迟时间：2.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5 Ω @ 230mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 26μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：45pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.5nC @ 10V
- 上升时间：2.8ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8.5 ns
- 连续放电电流(ID)：230mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：60V
- 漏极-源极导通最大电阻：5Ohm
- 漏源击穿电压：60V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：4.5 pF
- 高度：800μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.25mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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