简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPW60R070P6XKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 41.54036 1+
- ￥ 39.18902 10+
- ￥ 36.97077 100+
- ￥ 34.87809 500+
- ￥ 32.90386 1000+
- 型号： IPW60R070P6XKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 41.54036
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：53.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：391W Tc
- Turn Off Delay Time：64 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™ P6
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：23 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：70m Ω @ 20.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.72mA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4750pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：100nC @ 10V
- 上升时间：15ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：53.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大双电源电压：600V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.07Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：156A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IPW60R070P6XKSA1 Infineon Technologies
FCH47N60N ON Semiconductor
FCH47N60NF ON Semiconductor
STW57N65M5 STMicroelectronics- FCH47N60 ON Semiconductor
