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单MOSFET晶体管 / NVMFS6B14NLWFT1G
- 价格 起订量
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- 型号： NVMFS6B14NLWFT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
- 库存地点： 内地
- 库存： 69000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Ta 55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 94W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1680pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±16V
- 连续放电电流(ID)：55A
- 阈值电压：3V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.019Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：140A
- DS 击穿电压-最小值：100V
- 雪崩能量等级（Eas）：29 mJ
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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