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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / AUIRFS4010-7P
- 价格 起订量
- ￥ 50.21818 1+
- ￥ 47.37564 10+
- ￥ 44.69400 100+
- ￥ 42.16415 500+
- ￥ 39.77750 1000+
- 型号： AUIRFS4010-7P
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
- 库存地点： 内地
- 库存： 25
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 50.21818
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：190A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：380W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：380W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4m Ω @ 110A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9830pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：230nC @ 10V
- 上升时间：56ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：48 ns
- 连续放电电流(ID)：190A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.004Ohm
- 漏源击穿电压：100V
- 雪崩能量等级（Eas）：330 mJ
- 高度：4.83mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：9.65mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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