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单MOSFET晶体管 / IRFS4010TRL7PP
- 价格 起订量
- ￥ 22.40738 1+
- ￥ 21.13904 10+
- ￥ 19.94249 100+
- ￥ 18.81367 500+
- ￥ 17.74875 1000+
- 型号： IRFS4010TRL7PP
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- 描述： MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
- 库存地点： 内地
- 库存： 50000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 22.40738
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- 引脚数：7
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：190A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：380W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：380W
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4m Ω @ 110A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9830pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：230nC @ 10V
- 上升时间：56ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：48 ns
- 连续放电电流(ID)：190A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 栅源电压：4 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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