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单MOSFET晶体管 / FDB0300N1007L
- 价格 起订量
- ¥ 63.19528 1+
- ¥ 59.61819 10+
- ¥ 56.24358 100+
- ¥ 53.05998 500+
- ¥ 50.05658 1000+
- 型号: FDB0300N1007L
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0300N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2.7 VNew
- 库存地点: 内地
- 库存: 20000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 63.19528
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数:7
- 质量:1.312g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:200A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):6V 10V
- Power Dissipation (Max):3.8W Ta 250W Tc
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:PowerTrench®
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- HTS代码:8541.29.00.95
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 元素配置:Single
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ω @ 26A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:8295pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:113nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss):100V
- Vgs(最大值):±20V
- 连续放电电流(ID):200A
- 阈值电压:2.7V
- 达到SVHC:无SVHC
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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