简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / AUIRFS3107-7P
- 价格 起订量
- ￥ 18.96235 1+
- ￥ 17.88901 10+
- ￥ 16.87643 100+
- ￥ 15.92116 500+
- ￥ 15.01996 1000+
- 型号： AUIRFS3107-7P
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK-7P
- 库存地点： 内地
- 库存： 13819
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.96235
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：240A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：370W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：超低电阻
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：370W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：17 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.6m Ω @ 160A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9200pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：240nC @ 10V
- 上升时间：80ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：64 ns
- 连续放电电流(ID)：240A
- JEDEC-95代码：TO-263CB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0026Ohm
- 漏源击穿电压：75V
- 雪崩能量等级（Eas）：320 mJ
- 高度：4.83mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：9.65mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
AUIRFS3107-7P Infineon Technologies
STH240N75F3-6 STMicroelectronics
IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies- IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies
- IRFS3107-7PPBF Infineon Technologies
