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单MOSFET晶体管 / NSTR4501NT1G
- 价格 起订量
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- 型号： NSTR4501NT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 23323
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.2A Ta
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：12 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：1.25W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 参考标准：AEC-Q101
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：6.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：80m Ω @ 3.6A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：200pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 4.5V
- 上升时间：12ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：3 ns
- 连续放电电流(ID)：3.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.08Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：10A
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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