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单MOSFET晶体管 / CPH3456-TL-W
- 价格 起订量
- ¥ 0.78263 1+
- ¥ 0.73833 10+
- ¥ 0.69654 100+
- ¥ 0.65711 500+
- ¥ 0.61992 1000+
- 型号: CPH3456-TL-W
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述: Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin CPH T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 3000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.78263
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间:7 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:3.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):1.8V 4.5V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):1W Ta
- Turn Off Delay Time:30 ns
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2012
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- Reach合规守则:not_compliant
- JESD-30代码:R-PDSO-G3
- 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式:增强型MOSFET
- 接通延迟时间:6.2 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:71m Ω @ 1.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:260pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:2.8nC @ 4.5V
- 上升时间:19ns
- 漏源电压 (Vdss):20V
- Vgs(最大值):±12V
- 下降时间(典型值):28 ns
- 连续放电电流(ID):3.5A
- 栅极至源极电压(Vgs):12V
- 漏极-源极导通最大电阻:0.071Ohm
- DS 击穿电压-最小值:20V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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