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单MOSFET晶体管 / IRLML6402TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 2.67775 1+
- ￥ 2.52618 10+
- ￥ 2.38319 100+
- ￥ 2.24829 500+
- ￥ 2.12103 1000+
- 型号： IRLML6402TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 89000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.67775
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：Micro3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.3W Ta
- Turn Off Delay Time：588 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：65mOhm
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：-20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-3.7A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.3W
- 接通延迟时间：350 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：65m Ω @ 3.7A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：633pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 5V
- 上升时间：48ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：381 ns
- 连续放电电流(ID)：-3.7A
- 阈值电压：-550mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：-20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：22A
- 双电源电压：-20V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：-550 mV
- 高度：1.12mm
- 长度：3.0226mm
- 宽度：1.397mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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