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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDB8880
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： FDB8880
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS
- 库存地点： 内地
- 库存： 646
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 质量：1.31247g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Ta 54A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：55W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：30V
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：54A
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：55W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：11.6m Ω @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1240pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 上升时间：107ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：51 ns
- 连续放电电流(ID)：54A
- 阈值电压：2.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 栅源电压：2.5 V
- 高度：4.83mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：11.33mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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